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                                  PRODUCT

                                  產品中心

                                  首頁 ? 產品中心 ? LED襯底及窗口片設備 ? 泡生法藍寶石晶體生長爐

                                  泡生法藍寶石晶體生長爐
                                  編號:SN20150801140932539
                                  類別:泡生法藍寶石晶體生長爐
                                  • 產品概述
                                  • 規格參數
                                  • 服務支持

                                    設備用途

                                    LED襯底,窗口材料,手機屏,軍工領域,智能設備,大規模集成電路SOI 和SOS等等。


                                    設備原理

                                    泡生法:在真空環境中,通過電阻加熱將三氧化二鋁原料熔化,通過籽晶引導,采用精密上稱重技術進行微量提拉生長優質光學級藍寶石單晶。

                                    產品特點:
                                    1、PLC全自動操作系統
                                    X2技術平臺,晶體生長過程(除引晶外)實現全自動化智能操作,生長條件可高度復制;能抗干擾自動調節功率,保證晶體穩定性,實現人機界面控制系統與工藝緊密結合。
                                    2、精密提拉旋轉機構
                                    專利設計,控制精度高,傳動平穩,抗干擾能力強,利于晶體生長。
                                    3、高穩定性熱場
                                    精確的溫度曲線控制,先進模擬軟件設計,保證原材料純度,熱變形小,使用壽命長。
                                    4、高效水冷系統
                                    先進的設計制造工藝,爐體冷卻效果好,震動小。
                                    5、PAC全自動操作程序
                                    觸摸屏操作,人機界面控制系統與工藝緊密結合,可遠程控制,信息存儲、分析、列表。

                                    產品優勢:
                                    1、縮短生長周期,比同類產品周期縮短2-3天。
                                    2、優異的晶體質量,達到光學等級以上。
                                    3、低能耗
                                    設備及熱場穩定性高,重復型號,損耗小,且設備能耗低于同類產品20%以上。
                                    4、高取材率
                                    成熟的設備制造技術和長晶工藝,確保晶體取材率≥70%。
                                    5、研發優勢
                                    規?;难邪l基地,及時進行技術驗證及創新,確保產品及技術的成熟性和前沿性。
                                    6、技術培訓
                                    擁有研發基地,可驗證長晶,為客戶提供專業技術培訓、設備操作和工藝指導。
                                    7、安全性高
                                    配置真空安全保護裝置,安全性能更高。


                                    高效的熱場模擬與設計


                                     

                                    大幅降低能耗


                                     

                                    80kg級長晶成本構成


                                     

                                    120kg級長晶成本構成

                                     

                                    技術指標: 

                                     

                                    TDR85K-II 

                                    TDR120K

                                    晶體生長周期

                                    18-20

                                    20-25

                                    晶體質量

                                    X射線雙晶搖擺半峰寬<10”;平均位錯密度為1×103/cm2

                                    晶體最大直徑

                                    300mm

                                    350mm

                                    設備能耗

                                    2萬度

                                    3萬度

                                    設備損耗

                                    主要部件使用壽命2年以上

                                    取材率(2吋)

                                    3200mm

                                    5800mm

                                    長晶成本

                                    ¥3.46萬元/

                                    ¥5.38萬元/

                                    晶棒成本(2吋)

                                    $1.77/mm

                                    $1.52/mm

                                     

                                    高取材率

                                    留言咨詢 (* 為必填項目)

                                    晶體規格

                                    80kg級(φmax300×H350mm 

                                    120kg級(φmax350×H400mm 

                                    4"晶棒

                                     

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